[发明专利]抗辐照双极器件的制备方法在审
| 申请号： | 202010240885.8 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111627980A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 翟亚红;杨峰;李珍;李威;张国俊 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 抗辐照双极器件的制备方法，涉及电子器件技术，本发明包括下述步骤：1)在N型衬底上生成厚牺牲层；2)厚牺牲层上光刻形成基极注入窗口，并由此窗口离子注入或扩散形成基区；3)掩膜下光刻出发射极注入窗口，由此离子注入或扩散形成发射区；4)掩膜下光刻并离子注入形成P+欧姆接触区，至此形成上表面覆盖有掩膜和厚牺牲氧化层的半导体区；5)去除掩膜和厚牺牲氧化层，在半导体区的上表面生长一厚度20～80nm的薄层抗辐射二氧化硅层；6)在发射区和间隔区的界面上方，沿二氧化硅层的上表面设置二氧化硅介质层和导电场板；7)分别设置连接基区、发射区和P+欧姆接触区的电极。在与现有技术同样的辐射环境下，本发明器件电流增益增加20％～30％。 | ||
| 搜索关键词： | 辐照 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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