[发明专利]抗辐照双极器件在审
| 申请号： | 202010241064.6 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111384154A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 翟亚红;杨峰;李珍;李威;张国俊 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 抗辐照双极器件，涉及电子器件技术。本发明包括半导体区、设置于半导体区上方的绝缘介质区和电极，所述半导体区包括设置于衬底内的基区、发射区、P+欧姆接触区，发射区和P+欧姆接触区之间的区域为间隔区；在绝缘介质区和半导体区上表面之间，还设置有厚度为20～80nm的抗辐照加固层，所述抗辐照加固层的材质包括二氧化硅；在抗辐照加固层的上表面和绝缘介质区上表面之间，设置有平行于超薄二氧化硅层的导电场板，并且导电场板在半导体区上表面的投影与发射区有重叠部分，导电场板在半导体区上表面的投影与间隔区有重叠部分，导电场板与发射区形成导电连接。本发明的双极晶体管器件在同样的辐射环境下，电流增益增加20％～30％。 | ||
| 搜索关键词： | 辐照 器件 | ||
【主权项】：
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