[发明专利]硅基缓冲层及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅基缓冲层及其制备方法。硅基缓冲层的制备方法，包括：获得原子级别洁净的的Si片；依次打开As束流源、Te束流源，对Si片的正面进行钝化；交替打开Zn束流源和Te束流源，在钝化后的Si片的正面外延ZnTe缓冲层；交替打开Zn束流源、Te束流源、CdTe束流源，在ZnTe缓冲层上外延ZnTe/CdTe超晶格缓冲层；打开Te束流源，并对ZnTe/CdTe超晶格缓冲层进行高温退火热处理。采用本发明，采用Te和Zn两个独立原料束流源进行外延，与外延后的退火工艺相结合，抑制了孪晶的形成有效地简化了工艺步骤，从而很大程度上提高了外延的效率。对三代大面阵红外焦平面材料的发展有基础性的贡献。