[发明专利]氮化铝半导体薄膜的制作方法及其结构有效
| 申请号： | 202010241854.4 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111341645B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 林辉;刘锐森;蓝文新;刘召忠;杨小利 | 申请（专利权）人： | 江西力特康光学有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;H01L33/12;C23C14/06;C23C14/34;C23C14/58;C23C16/20;C23C16/34;C23C16/44 |
| 代理公司： | 赣州智府晟泽知识产权代理事务所(普通合伙) 36128 | 代理人： | 杨金根 |
| 地址： | 341700 江西省赣州市龙南市龙南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种氮化铝半导体薄膜的制作方法及其结构，涉及半导体设备成膜领域，包括：提供蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底的一侧形成铝金属层；铝金属层进行氮化处理，生成第一氮化铝薄膜；在第一氮化铝薄膜远离蓝宝石衬底的一侧生成第二氮化铝薄膜；对具有第一氮化铝薄膜及第二氮化铝薄膜的蓝宝石衬底进行反应腔外的高温退火处理；在第二氮化铝薄膜远离蓝宝石衬底的一侧生成第三氮化铝薄膜。本申请在生成第二氮化铝薄膜之前，首先在蓝宝石衬底上生成第一氮化铝薄膜，通过第一氮化铝薄膜及第二氮化铝薄膜有效降低后续各层氮化铝薄膜造成的堆积应力，从而能够降低龟裂密度和孔洞缺陷密度，生成高质量的氮化铝半导体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 薄膜 制作方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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