[发明专利]DDR芯片供电电路的余电泄放电路在审
| 申请号： | 202010242203.7 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111555597A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 赵新华;郭旭;胡旻韬;付聪;蔡宏;田学林;孔令宏 | 申请（专利权）人： | 芜湖宏景电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/32 | 分类号： | H02M1/32 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 张素庆 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供一种DDR芯片供电电路的余电泄放电路，Q12组成的开关电路对VCC 5V进行泄放，当基极高电平时Q12饱和导通，相当于在U6的输入端串联了R347（100R）到地，U6的输入端电容则通过R347迅速放电，能够可靠的泄放掉残电，使系统启动可靠。该电路成本低廉，效果好，具有可推广性。 | ||
| 搜索关键词： | ddr 芯片 供电 电路 余电泄放 | ||
【主权项】：
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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