[发明专利]一种用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构在审
申请号: | 202010244311.8 | 申请日: | 2020-03-31 |
公开(公告)号: | CN111430332A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 纪旭明;顾祥;张庆东;谢儒彬;吴建伟;洪根深 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 杨立秋 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本发明公开一种用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构,属于集成电路技术领域。所述用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构包括Si及覆盖在其表面的SiO |
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搜索关键词: | 一种 用于 薄硅膜 soi 可靠性 评估 有源 区多指 测试 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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