[发明专利]半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备在审
| 申请号： | 202010244614.X | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111446297A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;刘昊炎;程晓红;李俊杰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/161;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 周娟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备，涉及半导体技术领域，以解决在选用对高锗含量的锗硅进行释放时，如采用纯锗作为晶格匹配层，会存在腐蚀锗晶格匹配层的情况，如不采用纯锗晶格匹配层，直接在Si衬底上制备锗硅沟道，会导致缺陷的产生的技术问题。半导体器件，在衬底和锗硅沟道层之间增加了匹配层，匹配层包括锗晶格匹配层和锗硅晶格匹配层，锗硅沟道层形成在锗硅晶格匹配层上，锗硅晶格匹配层与锗硅沟道层的材质元素相同，晶格匹配度高，容易获得高质量的锗硅沟道；同时，在对锗硅沟道层进行释放时，由于对锗硅晶格匹配层选择比高，不会出现锗硅晶格匹配层、锗晶格匹配层或衬底过度腐蚀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 集成电路 电子设备 | ||
【主权项】：
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