[发明专利]一种碳化硅MOS电容器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010244764.0 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN111403280A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 罗志鹏;许恒宇;金智;万彩萍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/94;H01L29/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅MOS电容器件及其制作方法，在第一次退火处理时是在Ar气氛条件下或含O元素的Ar气氛条件下进行的，进而通过Ar退火能够去除SiC外延层和栅氧化层的界面处的C元素，使得C元素相关缺陷发生分解并离开界面处位置；且进一步在含O元素的Ar气氛条件下退火，能够促进C元素相关缺陷的分解和去除；而后在第二次退火处理时是在含N气氛条件下进行的，含N气氛的退火可以将N元素引入到SiC外延层和栅氧化层的界面处，进而能够钝化界面处存在的悬挂键或其他缺陷，最终改善了栅氧化层和SiC外延层的界面处的缺陷，提高了碳化硅MOS电容器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mos 电容 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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