[发明专利]一种大尺寸二维三硒化二铟晶体的制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202010247224.8 申请日: 2020-03-31
公开(公告)号: CN111455456A 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 夏从新;李睿智;苏健;白浩博;王瑞奇;闫勇;宋孝辉;耿振铎 申请(专利权)人: 河南师范大学
主分类号: C30B23/00 分类号: C30B23/00;C30B29/46;C30B29/64;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/22;H01L41/18;H01L41/39
代理公司: 新乡市平原智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 41139 代理人: 路宽
地址: 453007 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种大尺寸二维三硒化二铟晶体的制备方法及其应用,将纯净的In2Se3粉末放于石英舟中,置于双温区管式炉石英管中,用干净的云母作为生长衬底置于双温区管式炉石英管的另一侧,使用物理气相沉积的方法在云母衬底上制备出大尺寸二维三硒化二铟晶体,制得的In2Se3原子晶体具有良好的铁电性,在铁电记忆存储器件中有重要应用。本发明制备过程操作方法简单且制备成本低廉。
搜索关键词: 一种 尺寸 二维 三硒化二铟 晶体 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
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