[发明专利]电极的制备方法有效
| 申请号： | 202010248291.1 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN111517272B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;朱黎敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种电极的制备方法，包括：提供一衬底；在衬底上依次形成第一氧化层、非晶硅层、金属层和介电抗反射层；进行第一次刻蚀，去除目标区域的介电抗反射层和目标区域中预定深度的金属层，形成第一通孔；进行第二次刻蚀，减薄介电抗反射层和暴露的金属层，形成第二通孔；进行第三次刻蚀，去除目标区域的金属层，使非晶硅层暴露；在暴露的介电抗反射层和非晶硅层的表面形成第二氧化层。本申请通过第一次刻蚀去除目标区域的介电抗反射层，通过第二次刻蚀减薄介电抗反射层和暴露的金属层，通过第三次刻蚀去除目标区域的金属层，从而进行后续的氧化层沉积，解决了通过湿法刻蚀工艺形成电极所导致的良率较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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