[发明专利]具有散热结构的高电阻晶片及其制作方法有效
| 申请号： | 202010248845.8 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN111564420B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 马瑞吉;杨国裕;林家辉 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有散热结构的高电阻晶片及其制作方法，其中该具有散热结构的高电阻晶片包含一高电阻晶片以及一金属结构，高电阻晶片分为一散热结构区和一元件承载区，高电阻晶片由一绝缘材料组成，金属结构仅埋入于高电阻晶片的散热结构区，其中金属结构环绕元件承载区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 散热 结构 电阻 晶片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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