[发明专利]微纳米尺寸图形化薄膜阵列的介电测试系统及方法有效

专利信息
申请号: 202010251069.7 申请日: 2020-04-01
公开(公告)号: CN111398370B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 汤如俊;徐思晨 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: G01N27/22 分类号: G01N27/22;G01N27/72;G01R27/26;G01R31/00
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 王玉仙
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种用于微纳米尺寸图形化薄膜阵列的介电测试系统,包括:用于测试介电性能的测试单元;绝缘的样品台,样品台上设有第一样品台电极和第二样品台电极;第一样品台电极和第二样品台电极分别与测试单元电连接;相对平行的第一电极和第二电极;第一电极与第一样品台电极电连接,第二电极与第二样品台电极电连接;第一电极和第二电极之间用于夹设微纳米尺寸图形化薄膜阵列;绝缘的测试夹具,其位于样品台上,测试夹具开设有用于放置第一电极、第二电极和微纳米尺寸图形化薄膜阵列的样品槽,测试夹具可拆卸连接有绝缘的紧固单元,紧固单元的一端位于样品槽内且用于对第一电极加压。
搜索关键词: 纳米 尺寸 图形 薄膜 阵列 测试 系统 方法
【主权项】:
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