[发明专利]方位阵列侧向用均质地层残余电位差和主屏流比测试方法有效

专利信息
申请号: 202010251340.7 申请日: 2020-04-01
公开(公告)号: CN111474591B 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 郭庆明;贺飞;陈涛;王炜;和丽真;杨居朋;姜黎明;曹景致;卢春利;秦伟;王伟;王琪;靳敏刚 申请(专利权)人: 中国石油天然气集团有限公司;中国石油集团测井有限公司
主分类号: G01V3/20 分类号: G01V3/20
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 高博
地址: 100007 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种方位阵列侧向用均质地层残余电位差和主屏流比测试方法,通过主监控电路量化测量主监控电路各级放大倍数、滤波特性、V/I转换系数、主电流大小、主监控电路的反馈系数;通过辅监控电路测试屏流参数,包括选频特性、电压转换系数和屏流大小,计算得到残余电位差和主屏流比;通过主屏流比测试电路测量残余电位差和主屏流比参数;将计算获得的残余电位差和主屏流比和测量获得的残余电位差和主屏流比进行比较,验证仪器参数是否达到设计要求。本发明通过给定正演模型测量得到主屏流比,通过主屏流比和电路的电气限定条件得到屏流范围和主流范围,进而指导主监控电路的放大倍数、X/I转换系数和屏流变压器,从方法上指导仪器电路设计。
搜索关键词: 方位 阵列 侧向 质地 残余 电位差 主屏流 测试 方法
【主权项】:
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