[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010252044.9 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN111430297B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 余兴;蒋维楠 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/683;H01L23/52;H01L25/16;H01L25/18;B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供第一基底，所述第一基底包括第一芯片区，所述第一芯片区包括第一区和第二区，所述第一基底具有相对的第一面和第二面；在所述第一区的第一面上形成第一功能单元；在所述第二区的第一面上形成可剥离模块及可剥离膜；提供第二基底，所述第二基底包括第二芯片区，所述第二芯片区内具有第二功能单元；在形成所述可剥离模块之后，将所述第一基底的第一面朝向所述第二基底表面键合；在将所述第一基底的第一面朝向所述第二基底表面键合后，去除所述第一基底以暴露出所述可剥离模块。从而，减少芯片制造时间、降低芯片的制造成本，并且提高芯片良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
