[发明专利]阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法在审
| 申请号： | 202010252675.0 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN111415980A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;牛迪;王权;李巍;肖红领;冯春;姜丽娟;王茜;刘宏新 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种阶梯型混合栅p‑GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法，其阶梯型混合栅p‑GaN氮化镓基晶体管结构自下而上顺次包括：衬底、成核层、高阻层、高迁移率层和势垒层；还包括：p型GaN帽层、源极、漏极、绝缘介质层和栅极；p型GaN帽层、源极和漏极，分别制作在势垒层上面；绝缘介质层分别制作在势垒层和p型GaN帽层上；制作在势垒层上的绝缘介质层位于p型GaN帽层、源极和漏极间；在p型GaN帽层上制作的至少两个高度不同的绝缘介质层；栅极制作在p型GaN帽层和制作在p型GaN帽层上的绝缘介质层上面。本公开利于减小器件栅极漏电，改善器件栅极击穿特性，增加器件的栅压摆幅，增加器件阈值电压，提高氮化镓基器件的输出电流和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯 混合 gan 氮化 晶体管 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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