[发明专利]一种多层石墨烯改性半导电屏蔽料及其制备方法在审
| 申请号： | 202010253950.0 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111303526A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王俊龙;冯明艳;刘明强 | 申请（专利权）人： | 成都鑫成鹏高分子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C08L23/08 | 分类号： | C08L23/08;C08L23/06;C08K3/04;C08K7/00;C08K5/14;C08K5/5435;C08K13/04 |
| 代理公司： | 成都智弘知识产权代理有限公司 51275 | 代理人： | 丁亮 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请涉及高分子改性技术领域，具体涉及一种多层石墨烯改性半导电屏蔽料及其制备方法，所述屏蔽料采用EVA树脂与低熔指的聚乙烯交联改性，低熔指聚乙烯强度和耐热性能较好，分子量相对较大且分子形状结构复杂，低熔指聚乙烯树脂与EVA树脂的共混交联，在其交联网状分子结构中易形成多条通道结构，这给导电炭黑和多层石墨烯提供了多条导电通道，即可以提升导电性。另外多层石墨烯本身为连续的层状结构，有利于在屏蔽料内部形成均匀的平面电场，在多官能团硅烷偶联剂的作用下，各树脂、导电炭黑和多层石墨烯之间形成均匀而稳定的分子结构，进一步提升材料的电气性能和电场分布的均匀性，并且还可以增强材料在高温环境下的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 石墨 改性 导电 屏蔽 料及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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