[发明专利]基于聚合物阵列多孔结构的纳米银膜SERS基底制备方法在审
| 申请号： | 202010254466.X | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111398242A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 成鸣飞;李梦瑶;方靖淮 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B82Y30/00;B82Y40/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 许洁 |
| 地址： | 226000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于聚合物阵列多孔结构的纳米银膜SERS基底制备方法，包括以下步骤：步骤1.制备PC薄膜；步骤2.制备周期性PC突起阵列结构：将组装好的“玻片‑PDMS膜‑PC膜”三明治结构的基片平放在加热中的模板上，确保PC膜热熔后渗入模板孔洞中；步骤3.制备周期性银@PC突起阵列结构；步骤4.制备周期性银@PDMS多孔结构：进行PDMS的固化，将银纳米薄膜沉积在周期性PDMS多孔薄膜上；步骤5.进行检测分析。本发明通过热压印、热固化、真空热蒸镀加工工艺，制得的纳米结构基底，具有周期性PC突起阵列结构及多孔膜，且经过表明金属化处理，能构成多热点结构，从而为电磁场增强提供了丰富的热点类型，具有SERS灵敏度好、重复性好、稳定性强且热点面积大。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 聚合物 阵列 多孔 结构 纳米 sers 基底 制备 方法 | ||
【主权项】：
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