[发明专利]一种基于光刻工艺实现阵列图案的方法有效
| 申请号： | 202010255053.3 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111463106B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张凡;张妮伟;黄望林;向运来;李耀耀;芦鹏飞 | 申请（专利权）人： | 超晶科技(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京万思博知识产权代理有限公司 11694 | 代理人： | 孙黎生 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种基于光刻工艺实现阵列图案的方法，涉及图案设计及图案制备领域。本申请根据所需制备图案特征，首先选择与新图案尺寸相匹配的光刻掩膜版；然后采用光刻工艺在垂直性好的光刻胶上进行初始图案化，在衬底上形成一层具有功能化阵列镂空图案的光刻胶；进一步选择非垂直镀膜的工艺方法，在上一步初始图案上进行目标材料一层或多层的沉积；最后选择去胶液或丙酮剥离得到目标设计的图案阵列。通过上述工艺，本申请能够减少光刻图案对掩膜版的依附性和降低光刻工艺成本，同时还可以实现复杂图案，且提高良率。本申请还可应用于光电半导体领域，解决相关技术中无法形成像素电极图案的问题，而且可应用于半导体器件中制造精细图案的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光刻 工艺 实现 阵列 图案 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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