[发明专利]测量装置及方法有效
| 申请号： | 202010255215.3 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111430257B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 刘云飞 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘鹤;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种测量装置及方法，其中装置包括：光源产生单元，用于发射一束光线，发射的光线具有相同的方向；分光单元，用于将光源产生单元发射的光线进行分光处理；分光处理后的光线具有多个方向；分光处理后的光线在晶圆的光阻材料薄膜表面上的N个区域处，及晶圆的基底结构上的对应地N个区域处均形成反射光线；光阻材料薄膜设置在基底结构上；通过刻蚀光阻材料薄膜，以对基底结构的相应位置进行刻蚀，从而形成台阶结构；反射光线均具有多个方向；N为大于1的正整数；光线接收单元，用于接收所述反射光线；数据处理单元，用于基于光线接收单元接收的反射光线，确定N个区域处的台阶结构对应的光阻材料薄膜的刻蚀尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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