[发明专利]一种存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010255430.3 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111459864B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 郭祥浩;刘传星;陈峰;夏洪锋;苏进;关皓伟;任殿升;邰连梁;周大锋;李广仁;谢长倩 | 申请（专利权）人： | 深圳朗田亩半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/40 | 分类号： | G06F13/40;G06F13/16 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 常忠良 |
| 地址： | 518112 广东省深圳市龙岗区吉华街道甘*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种转换设备、存储器件及其制造方法，存储器件可以包括DDR存储层、DDR接口层、转换逻辑电路层和外围接口层，外围接口层可以包括GDDR接口层或PCIe接口层。其中，转换逻辑电路层可以将利用外围接口层获取的数据利用DDR存储逻辑进行处理，而后传输至DDR接口层，或者将利用DDR接口层获取的数据利用GDDR存储逻辑进行处理，而后传输至外围接口层，DDR存储层和DDR接口层可以连接，这样，转换逻辑电路层可以对数据进行DDR和GDDR存储逻辑的转换，DDR存储层的数据可以经过转换逻辑电路层从外围接口层输出，从外围接口层输入的数据可以经过转换逻辑电路层存储至DDR存储层，使存储器件在成本较低的DDR的基础上实现GDDR的功能，降低了存储器件的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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