[发明专利]一种红光发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010255943.4 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113451471B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 黄文洋;林雅雯;黄国栋;黄嘉宏;杨顺贵 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 徐凯凯 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种红光发光二极管的外延片及其制备方法，通过将n型半导体层设计成铝元素的含量沿所述外延片的生长方向逐渐增加，铟元素的含量沿所述外延片的层叠方向逐渐降低的渐变层，搭配铝元素、铟元素的含量沿所述外延片的生长方向不变的固定层，使得在靠近多量子阱层一侧的势垒逐渐升高，可限制多阱量子层中用于辐射复合的电子及空穴向MQW区外的游离，限制空穴与电子在MQW中进行辐射复合减少非辐射复合，同时也有利于n层的电子向MQW区的流动，进而增加了流向MQW区域中复合的光子数，提升了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红光 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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