[发明专利]一种掺杂Ti、C的二硫化钼基纳米复合薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种掺杂Ti、C的MoS2基纳米复合薄膜的制备方法，是利用多靶反应磁控溅射系统，以MoS2为基体材料，通过反应溅射手段在MoS2薄膜的纳米尺度孔道位置填充活性Ti和DLC硬质团簇颗粒，从而构筑具有较高环境适应性的纳米复合固体润滑薄膜；同时通过Ti元素梯度层的沉积，利用元素互扩散原理增强薄膜强度和膜‑基结合力，从而提高复合薄膜的耐磨寿命。力学性能测试结果表明，纳米复合薄膜的硬度、弹性模量及弹性回复量均大幅高于纯MoS2薄膜；摩擦性能测试结果显示，纳米复合薄膜在真空和大气环境下均表现出较低的摩擦系数和较高的耐磨寿命，从而满足核聚变装置遥操系统的服役要求。