[发明专利]一种硅片的抛光后清洗方法

摘要

采用一种混合清洗剂，混合清洗剂由隔离保湿剂、PH调节剂、缓释剂、溶液C组成，混合清洗剂成分的配比范围为：隔离保湿剂5～10wt%、PH调节剂0.5～1.5wt%、溶液94.5～88.5wt%；将上述成分按照其配比范围配置均匀、稳定的混合清洗剂，对抛光后的硅片进行浸没式清洗。混合清洗剂在硅片表面形成一层保护层，防止抛光液残留的斑点发生和不纯物的干燥固着，抑制硅片表面氧化膜的形成，同时捕捉抛光过程中产生的金属离子、防止硅片受到金属污染，硅片与抛光液残留物、金属离子等所有污染颗粒都被混合清洗剂有效包裹起来，防止硅片表面污染，极大地提升抛光与清洗工序的效率、提高产品合格率。