[发明专利]III族氮化物基晶体管器件及制造用于其的栅极结构的方法

摘要

III族氮化物基晶体管器件及制造用于其的栅极结构的方法。在实施例中，III族氮化物基晶体管器件，包括第一III族氮化物阻挡层，布置在III族氮化物沟道层上，第一III族氮化物阻挡层和III族氮化物沟道层具有不同的带隙并且形成能够支持二维电荷气的异质结，源极、栅极和漏极，在第一III族氮化物阻挡层的上表面上，栅极凹部，从第一III族氮化物阻挡层的上表面延伸到第一III族氮化物阻挡层中，以及p掺杂的III族氮化物材料，布置在栅极凹部中并且具有在第一III族氮化物阻挡层的上表面上朝向漏极延伸的第一延伸。该第一延伸具有长度ld，并且0 nm≤ld≤200 nm。