[发明专利]采用离子辅助交替沉积可控制备超晶格Sb-Te/Bi-Sb-Te多层薄膜的方法

摘要

本发明是一种采用离子辅助沉积可控制备超晶格Sb‑Te/Bi‑Sb‑Te薄膜的方法，该方法采用FJL560CI2离子束辅助沉积系统，制备工艺包括：把质量百分比纯度为99.99％的Sb2Te3和Bi1.5Sb0.5Te3靶材放入离子束辅助沉积镀膜室中；真空度达2.0×10‑4Pa‑4.0×10‑4Pa时打开加热控温电源，设定加热温度200℃‑400℃，开始对基底升温；打开溅射腔进气口，调节溅射离子源的溅射能量为0.8keV‑1.2keV；关闭辅助腔Ar进气口，打开N2进气口，调节低能辅助轰击源的辅助能量为100eV‑400eV；温度升至预定温度200℃‑400℃后，调节气压至预定工作气压1×10‑2Pa‑3×10‑2Pa；用电脑精确控制每个靶材的溅射时间，得到它们的单层薄膜与调制比tSb2Te3:tBi1.5Sb0.5Te3＝1:5‑5:1及调制周期Λ＝10nm‑150nm的多层膜；薄膜厚度为500nm‑1000nm。该方法新颖简单实用有效，生产环境条件宽松，具有非常显著的实用价值和经济效益。