[发明专利]一种利用氧化铝助熔剂生长二氧化铀晶体的方法有效
| 申请号： | 202010262675.9 | 申请日： | 2020-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN111334859B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 徐家跃;潘芸芳;李志超;周鼎;田甜 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B9/12 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 舒梦来 |
| 地址： | 200235 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明申请属于晶体生长技术领域，具体公开了一种利用氧化铝助熔剂生长二氧化铀晶体的方法，包括以下步骤：(1)将UO |
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| 搜索关键词： | 一种 利用 氧化铝 熔剂 生长 氧化 晶体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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