[发明专利]具有二极管耦合的隔离环的LDMOS在审
| 申请号： | 202010262849.1 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN111799330A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 林欣;张志宏;程序;祝荣华 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于提高横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)的击穿电压的方法包括将场效应晶体管(FET)的第一阱偏置到第一电压。所述第一阱与第二阱横向分离。响应于所述第一电压超过连接在所述隔离环与所述第一阱之间的二极管的击穿电压将隔离环充电到第二电压。所述隔离环横向包围所述FET并接触在所述第一阱和所述第二阱下方延伸的掩埋层(BL)。将衬底偏置到小于或等于所述第一电压的第三电压。所述衬底在所述BL下方横向延伸并接触所述BL。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 二极管 耦合 隔离 ldmos | ||
【主权项】：
暂无信息
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