[发明专利]一种二次电子倍增膜涂覆在内壁的电磁波发生器有效
| 申请号： | 202010264063.3 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN111383875B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 王战亮;柳建龙;程宏昌;宫玉彬;段兆云;巩华荣 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01J23/18 | 分类号： | H01J23/18;H01J23/24;H01J23/27;H01J23/02;H01J23/04 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 温利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二次电子倍增膜涂覆在内壁的电磁波发生器，在现有技术的基础上，在慢波结构或谐振腔内壁涂覆或溅射二次电子倍增膜，其二次电子发射系数δ一般远大于3，同时，电磁波发生器无聚焦磁场系统。这样电子由阴极发射出来后，受到电磁波的作用产生速度和密度调制，由于无聚焦磁场，所以密度不同的电子束会发生散射，当散射的电子打到内壁上时，由于内壁二次电子倍增，所以即可产生更多的电子，增大电子束电流。由于密度大的位置产生更多，密度小的位置产生更少二次电子，所以电子束电流增幅变大，即电磁波增幅也变大，在输出端口能够获得更高功率的电磁波。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二次电子 倍增 膜涂覆 内壁 电磁波 发生器 | ||
【主权项】：
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