[发明专利]具有横向蜿蜒栅极的场效应晶体管在审
| 申请号： | 202010264184.8 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN111916498A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·K·史塔佩尔;史蒂芬·M·宣克;M·J·阿布-哈利勒;西瓦·P·阿度苏米利 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有横向蜿蜒栅极的场效应晶体管，揭示场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的方法。第一栅极电极具有连续设置的多个第一片段，以定义第一非直线链。第二栅极电极邻近该第一栅极电极设置。该第二栅极电极包括连续设置的多个第二片段，以定义第二非直线链。在该第一栅极电极与该第二栅极电极之间横向设置源/漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 横向 蜿蜒 栅极 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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