[发明专利]气压调控的磁控薄膜转印印章及转印方法有效
申请号: | 202010264725.7 | 申请日: | 2020-04-07 |
公开(公告)号: | CN111446200B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 罗鸿羽;王苏浩;宋吉舟 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 万尾甜;韩介梅 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种气压调控的磁控薄膜转印印章及转印方法,该印章由印章主体、磁性薄膜和印章底面组装而成;转印方法为:1)拾取时,对印章施加向下的磁场,磁性薄膜产生向下的变形,将印章压在器件表面后撤去磁场,磁性薄膜回弹产生负压,再对印章施加反向磁场,磁性薄膜产生向上的变形使负压进一步增大,印章/器件界面处于强粘附状态,器件被成功拾取;2)印刷时,保持向上磁场并将印章/器件移到基底上方,撤去向上磁场并外加更强的反向磁场,磁性薄膜发生更大的向下变形而产生正压,印章/器件界面处于弱粘附状态,器件被成功印刷。该印章成本低廉;所述方法可实现常温下非接触转印,既能实现高效率的全局转印,也能实现精准的选择性转印。 | ||
搜索关键词: | 气压 调控 薄膜 印章 方法 | ||
【主权项】:
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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