[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010264790.X | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113497129A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 平尔萱;周震 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制作方法。其中，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，所述衬底内具有沟槽；于所述沟槽内形成第一导电层，所述第一导电层的顶部低于所述沟槽的顶部；于所述第一导电层上形成介质层；于所述介质层上形成第二导电层。本发明中，通过在第一导电层与第二导电层之间设置所述介质层，使第一导电层与第二导电层连通形成等电位，同时作为阻挡层防止第一导电层中的导电材料向第二导电层扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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