[发明专利]半导体集成光学器件以及制造半导体集成光学器件的方法在审
| 申请号： | 202010264863.5 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN111817131A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 平谷拓生 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王伟;高伟 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体集成光学器件以及制造半导体集成光学器件的方法，所述半导体集成光学器件包括：波导台面，所述波导台面具有包括第一芯层的第一多层、包括第二芯层的第二多层以及第一芯层和第二芯层之间的对接界面；支撑件，所述支撑件具有第一区域至第三区域；以及掩埋式半导体区域，所述掩埋式半导体区域被设置在支撑件上。第一多层在第一区域上具有第一台面宽度。第二多层在第二区域上具有第二台面宽度。在第三区域上，第二多层具有波导部，所述波导部具有小于第一台面宽度和第二台面宽度的第三台面宽度。第二芯层在第二区域上具有波导芯厚度。在波导部中，第二芯层具有芯部，所述芯部的厚度在远离对接界面的位置处不同于波导芯厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成 光学 器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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