[发明专利]电流模式逻辑到互补金属氧化物半导体逻辑转换器在审
| 申请号： | 202010265681.X | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN111800122A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | M·V·迪纳 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/0185;H03K19/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了电流模式逻辑到互补金属氧化物半导体逻辑转换器。CML到CMOS信号转换系统(600)包括耦合到电阻器(R0)的CML/CMOS转换器(210)，其还在参考节点(240)处耦合到电流补偿电路(220)。CML/CMOS转换器接收差分信号，并通过电阻器将第一或第二电流施加到参考节点。电流补偿电路包括差分晶体管对(410)，其耦合到电流源、晶体管(QN2)以及第一电流镜(420)、第二电流镜(430)和第三电流镜(440)。差分晶体管对接收差分信号并具有输出端子对。第一电流镜耦合到输出端子。第三电流镜耦合到参考节点。第一电流镜和第三电流镜通过晶体管耦合在一起并吸收第一电流。第二电流镜耦合到输出端子和参考节点并且吸收第二电流。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 模式 逻辑 互补 金属 氧化物 半导体 转换器 | ||
【主权项】：
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