[发明专利]二氧化锡量子点材料及其制备方法，光电器件在审
| 申请号： | 202010266718.0 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113493219A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李刚;任志伟 | 申请（专利权）人： | 香港理工大学深圳研究院 |
| 主分类号： | C01G19/02 | 分类号： | C01G19/02;C09K11/66;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 高星 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种二氧化锡量子点材料的制备方法，包括步骤：获取锡源和亲水型配体；在0℃～60℃的氧气氛围下，将所述锡源和所述亲水型配体混合处理，得到表面结合有亲水型配体的二氧化锡量子点材料。本发明制备方法，工艺简单，耗时短，条件温和，实现了低温原位溶液合成金属氧化物量子点。并且制备的二氧化锡量子点材料粒径小，具有突出的高质量成膜特性，通过表面修饰的亲水型配体，具有更强的表面覆盖能力，当运用在光电器件电子传输层时，不但能消除器件中电子传输层与电极之间的接触缺陷，而且能对钙钛矿等光伏器件中吸光层或者LED等发光器件中发光层层的界面进行钝化，减小器件光电压损失，从而提高器件的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 量子 材料 及其 制备 方法 光电 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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