[发明专利]GaN半桥电路和GaN自举电源电压发生器电路在审

专利信息
申请号: 202010267078.5 申请日: 2020-04-07
公开(公告)号: CN111799992A 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: S·夏尔马;D·M·金策 申请(专利权)人: 纳维达斯半导体公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/088;H03K17/081
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 沈锦华
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了GaN半桥电路和GaN自举电源电压发生器电路。该电路包括配置为供应第一电源电压的自举电源电压发生器,并且包括开关节点。该电路还包括自举晶体管、自举晶体管驱动电路以及与开关节点和自举晶体管连接的自举电容器。自举电容器被配置为在开关节点处的电压等于第二开关节点电压时供应第一电源电压,自举晶体管被配置为在开关节点处的电压等于第一开关节点电压时将自举电容器与处于第二电源电压的电源节点电连接,并且自举电源电压发生器不包括与自举晶体管的漏极和源极并联的独立二极管。
搜索关键词: gan 电路 电源 电压 发生器
【主权项】:
暂无信息
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