[发明专利]一种非粘接籽晶式钽坩埚及生长晶体的方法在审
| 申请号： | 202010269090.X | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111334862A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 韩立岩 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非粘接籽晶式钽坩埚的设计与应用方法，属于半导体制造和工艺技术领域。本发明解决了目前使用物理气相运输法制备氮化铝单晶晶体时存在的缺陷，本发明包括钽圆片、钽坩埚圆筒、十字钽薄片、石墨保温结构、原料放置区、晶体生长区、氮化铝原料和籽晶，所述钽圆片盖在钽坩埚圆筒的两端，钽坩埚圆筒放置在石墨保温装置内，钽坩埚圆筒两端的内径不同，钽坩埚圆筒的内侧面呈阶梯状，十字钽薄片横架在钽坩埚圆筒中，十字钽薄片与上钽圆片之间形成的区域为晶体生长区，十字钽薄片与下钽圆片之间形成的区域为原料放置区，氮化铝原料放置在原料放置区内，籽晶放置在晶体生长区内。本发明结构简单，代替了以往需要用胶水将籽晶固定在坩埚盖上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非粘接 籽晶 坩埚 生长 晶体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司，未经哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010269090.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
