[发明专利]基板金属结构蚀刻方法、TFT制备方法、TFT以及显示装置在审
| 申请号： | 202010269874.2 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111415865A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 吕波;蔡良毅 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/336;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 何辉 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种基板金属结构蚀刻方法、TFT制备方法、TFT以及显示装置。所述基板金属结构蚀刻方法包括以下步骤：分别向第一蚀刻设备的腔室内灌入蚀刻液和第一惰性气体，腐蚀待处理基板上的裸露的第一层金属以及预设厚度的第二层金属，得到第一蚀刻基板；将第一蚀刻基板放置在第二蚀刻设备的腔室内，并分别向第二蚀刻设备的腔室内灌入蚀刻气体和第二惰性气体，腐蚀第一蚀刻基板上的裸露的剩余的第二层金属，得到蚀刻完成的基板。本申请能够向蚀刻设备灌入惰性气体，降低第一层金属的集氧程度，达到降低第一层金属与第二层金属电偶腐蚀速率。降低因第一层金属与第二层金属之间的介面处第二层金属被腐蚀而导致的第一层金属掏空的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 金属结构 蚀刻 方法 tft 制备 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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