[发明专利]一种面向倍频应用的氮化镓双向导通二极管以及制作方法有效
| 申请号： | 202010270625.5 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111446301B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 郭好文;邹新波;杨杨 | 申请（专利权）人： | 上海科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐俊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种面向倍频应用的氮化镓双向导通二极管，其特征在于，包括由下至上布置的蓝宝石衬底层、AlN缓冲层、N型GaN层一、本征GaN层、N型GaN层二，电极层一位于N型GaN层二之上，电极层二位于N型GaN层一之上。本发明的另一个技术方案是提供了一种如上述的面向倍频应用的氮化镓双向导通二极管的制作方法。本发明具备低电压、倍频增益稳定和较好偶次谐波抑制的特点。本发明在零偏置电压附近，其二次和三次倍频增益平坦稳定，因此其具备低电压工作或者低功耗条件下的倍频能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 面向 倍频 应用 氮化 双向 二极管 以及 制作方法 | ||
【主权项】：
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