[发明专利]半导体互连结构、其制作方法及半导体芯片在审
| 申请号： | 202010271229.4 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111430330A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 李南照;高建峰;刘卫兵;孔真真 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 付婧 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体互连结构、其制作方法及半导体芯片。其中，所述半导体互连结构的金属互连线层包括：多段金属互连线，以及在相邻两段金属互连线之间设置的接触窗。其中，每段金属互连线的长度小于预设长度，相邻两段金属互连线通过接触窗连接。该半导体互连结构通过将金属互连线层的每一段金属互连线长度制作得比预设长度短，避免了金属互连线的线宽受电迁移影响，增加金属互连线可以流过的电流密度，提升了金属互连线的可靠性，从而可以改善半导体元件设计层面的限制，提升半导体元件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 互连 结构 制作方法 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010271229.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成灶
- 下一篇：一种光学膜及其制备方法、光学膜的应用结构
