[发明专利]一种光学临近效应修正方法及装置在审
申请号: | 202010271782.8 | 申请日: | 2020-04-08 |
公开(公告)号: | CN113495426A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 陈志立 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 孙宝海;阚梓瑄 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种光学临近效应修正方法及装置,其中,光学临近效应修正方法包括:获取原始目标图形,并对所述原始目标图形进行预处理,形成二次目标图形,使得二次目标图形满足预设工艺规则;将所述二次目标图形进行光学临近效应修正处理,获取修正图形;根据所述修正图形获取所述原始目标图形的模拟轮廓;计算所述模拟轮廓与所述原始目标图形之间的偏差;根据所述偏差值判断所述修正图形是否满足工艺需求。本发明提供了一种光学临近效应修正方法及装置,以解决现有光学临近效应修正后,光刻图形失真严重的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 光学 临近 效应 修正 方法 装置 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备