[发明专利]存储器及其形成方法

摘要

本发明提供了一种存储器及其形成方法，包括衬底、多条字线结构、多条位线结构、多个节点接触结构及介质层，介质层位于所述有源区的字线结构，且至少覆盖所述字线结构靠近所述节点接触结构的至少部分侧壁，所以在位线结构和节点接触结构之间具有介质层的隔离，降低了位线结构伸入有源区的部分和节点接触结构之间短路的风险，改善了存储器的性能，即使位线沟槽发生位置偏移，位线结构和节点接触结构也可以通过介质层增加隔离的效果，增加光刻工艺的制程窗口；并且介质层是在字线沟槽中形成的且形成在字线结构之前，由于形成字线结构时需要先形成最外层介质，所以介质层和字线结构的最外层介质可在同一机台中先后形成，工艺制程简单且成本低。