[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 202010273125.7 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN112420712B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 细村嘉一 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27;G11C7/18;G11C8/14;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本实施例，一种半导体存储器装置包含第一存储器束，其包含第一源极线、第一源极侧选择栅极晶体管、第一源极侧选择栅极线、多个第一非易失性存储器单元、多个第一字线、第一漏极侧选择栅极晶体管、第一漏极侧选择栅极线及第一位线；第二存储器束，其包含第二源极线、第二源极侧选择栅极晶体管、第二源极侧选择栅极线、多个第二非易失性存储器单元、多个第二字线、第二漏极侧选择栅极晶体管、第二漏极侧选择栅极线及第二位线；共用位线；第一位线转移晶体管；及第二位线转移晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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