[发明专利]一种非易失性闪存器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种非易失性闪存器件及其制备方法。上述非易失性闪存器件至少包括存储区域的存储单元，上述制备方法包括：提供衬底，对上述衬底定义上述非易失性闪存器件的存储区域；在对应上述存储区域的衬底上形成上述存储单元的堆叠栅极，上述堆叠栅极的顶部为上述存储单元的存储控制栅极；以填充在多个存储单元的堆叠栅极之间的流动性光刻胶为掩膜，刻蚀上述存储控制栅极以降低上述存储控制栅极的高度；以及去除上述流动性光刻胶。根据本发明所提供的制备方法所形成的非易失性闪存器件，其存储单元的控制栅极的高度交底，能够在有效存储单元栅极之间的层间绝缘层的填充质量的同时，保证存储单元的电特性能。