[发明专利]电容器阵列结构及其制备方法和半导体存储器件

摘要

该发明公开了一种电容器阵列结构及其制备方法和半导体存储器件，所述制备方法包括以下步骤；提供电容衬底，所述电容衬底包括上电极填充层，于所述上电极填充层侧面形成绝缘层；于所述上电极填充层上表面形成上电极金属层；于所述上电极金属层外表面形成平坦层；形成第一导线贯穿所述平坦层连接到所述上电极金属层，形成第二导线贯穿所述平坦层、所述绝缘层和所述隔离层连接到下部电路。由此不仅能够减小导线到上电极板的电阻，提高运行效率，而且能够减小电容器阵列区的尺寸，使得电容器阵列结构尺寸较小，提高器件集成度，也能够降低发生短路和漏电的风险。