[发明专利]集成静电防护能力的碳化硅MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010275034.7 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111508950B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 刘强;黄润华;柏松 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 孙昱 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成静电防护二极管的碳化硅MOSFET器件及其制造方法。所述器件包含正面的源极金属、栅极金属和背面的漏极金属，其中，源极金属下方有欧姆接触，与栅电极块下方最深的第二导电类型区实现电连接。栅电极块下方有中等深度的浮空第一导电类型区，浮空第一导电类型区内有最浅的第二导电类型区，栅电极与该最浅的第二导电类型区有欧姆接触，同时与多晶硅栅相连，因此栅源之间存在一个PNP（或NPN）结，即尾尾（或首首）对接的碳化硅齐纳二极管。本发明结构简洁，不占用额外空间，实现方法简单，可提升碳化硅MOSFET器件栅极的抗静电冲击的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 静电 防护 能力 碳化硅 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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