[发明专利]金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法在审
| 申请号： | 202010276306.5 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113517219A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 金宗范;周娜;李俊杰;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开公开了一种金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法，包括：提供一基底，所述基底一侧表面上具有金属层；对所述金属层进行刻蚀；以及在所述金属表面形成氧化膜。本公开中，在金属刻蚀后，在金属表面形成的氧化膜可以阻断大气中的水蒸气与金属表面及其内部残留的氯成分反应，防止金属刻蚀后金属腐蚀的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 刻蚀 防止 金属腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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