[发明专利]一种提高重复使用率的低损硅基滤波芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 202010276606.3 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111430318B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 万晶;梁晓新 | 申请（专利权）人： | 昆山鸿永微波科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/535;H01L21/768;H03H3/007;H03H3/02 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 李猛 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆山市玉山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高重复使用率的低损硅基滤波芯片及其制作方法，其中的硅基滤波芯片包括：高阻硅介质层、第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，所述第一金属层设置在高阻硅介质层的顶面，所述高阻硅介质层底面内凹设置有硅腔，所述第二金属层设置在硅腔中，所述第三金属层设置在高阻硅介质层底面并避开硅腔，所述第四金属层设置在第三金属层的底面，所述高阻硅介质层中设置有向上贯穿第一金属层的通孔，所述通孔内壁设置有金属沉积层，通过刻蚀及微机械加工工艺生产。通过上述方式，本发明所述的提高重复使用率的低损硅基滤波芯片及其制作方法，生产便利，提升了硅基滤波芯片的带外抑制度，降低了损耗，重复使用率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 重复 使用率 低损硅基 滤波 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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