[发明专利]N管IO组件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010277151.7 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111463286A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 白文琦;王世铭;黄志森;胡展源;杨会山 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/167;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N管IO组件，轻掺杂漏区具有降低漏端电场的分散式结构，所述轻掺杂漏区的掺杂杂质为磷，所述轻掺杂漏区的离子注入为带角度的轻掺杂漏注入，所述轻掺杂漏区的分散式结构通过结合磷的扩散性、轻掺杂漏注入的注入角度和注入能量调节且调节到使热载流子寿命满足要求值；晕环注入区包括有采用共同的晕环离子注入工艺掺入的硼和碳的掺杂结构；晕环注入区的碳杂质分布结构作为轻掺杂漏区的磷杂质扩散的阻挡结构。本发明还公开了一种N管IO组件的制造方法。本发明能提高热载流子寿命，降低热载流子效应。 | ||
| 搜索关键词： | io 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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