[发明专利]存储器的形成方法及存储器有效
| 申请号： | 202010277791.8 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113496954B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 祝啸;陈易翔;杨丽辉;林宏益;宓筠婕;巩金峰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施方式提供一种存储器的形成方法及存储器，存储器的形成方法，包括：提供基底，基底上具有多个分立的位线结构，且相邻位线结构与基底围成的区域具有中心轴线；在基底上形成第一导电膜，第一导电膜填充相邻位线结构之间的区域；采用第一刻蚀工艺，刻蚀第一导电膜，形成第一导电层，且在沿位线结构侧壁指向中心轴线的方向上，第一导电层的厚度在垂直于基底表面的方向上逐渐减小；在第一导电层顶部表面形成第二导电膜；采用第二刻蚀工艺，刻蚀第二导电膜及第一导电层，剩余的第二导电膜及第一导电层构成电容接触窗；在电容接触孔的深宽比较大的情况下，形成了顶部形貌较为平坦的电容接触窗。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010277791.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：适用于支付设备的状态控制方法和装置
- 下一篇：线路板及其加工方法
