[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010277861.X | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN113517185A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 蔡巧明;马丽莎 | 申请（专利权）人： | 中芯北方集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；分别在所述第一区域和第二区域上形成多晶硅栅极；进行第一离子注入，在所述第一区域栅极结构两侧的半导体衬底中形成源极和漏极，并对所述第一区域的多晶硅栅极进行第一掺杂；进行第二离子注入，在所述第二区域栅极结构两侧的半导体衬底中形成源极和漏极，并对所述第二区域的多晶硅栅极进行第二掺杂。一方面，将所述NFET区域和PFET区域的多晶硅栅极进行掺杂，降低所述阈值电压和单位面积电阻，从而提高电学性能；另一方面，掺杂所述多晶硅栅极的是在半导体衬底中形成源极和漏极的同时进行的，节约了工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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